鎳釩合金靶_供應鎳釩合金靶_鎳釩合金靶廠家

鎳釩濺射靶材在制備鎳釩合金的過程中，在鎳溶體中加入釩，使制備合金更有利于磁控濺射，結合鎳濺射靶材和釩濺射靶材的優點.隨著時代的進步和半導體材料產業的發展，智能電子和信息內容、集成電路芯片、顯示屏等行業對鎳釩靶材的需求特別大.
濺射靶集中用于信息存儲、集成電路芯片、顯示屏、后視鏡等行業，主要用于磁控濺射各種薄膜材料.磁控濺射是制造薄膜材料的一種方法。利用離子源產生的正離子，加速真空中快速離子流的集聚，加速粒子流向待堆積塑料薄膜的材料表面。正離子和待堆積塑料薄膜材料表面的分子產生機械能交換，納米技術堆積在待堆積塑料薄膜材料表面(或μm)塑料薄膜.因此，用磁控濺射法堆積塑料薄膜的原料被稱為濺射靶材.
在集成電路芯片的生產過程中，一般采用足金作為表面導電層，但金和硅晶圓很容易形成AuSi低熔點化學物質導致金與硅頁面粘結不牢固。我們在金硅晶圓表面提高了一層粘結層。常見的純鎳是粘結層，但鎳層和金導電層會在中間擴散。因此，有必要有一層阻擋層來避免金導電層和鎳粘結層之間的擴散.阻擋層必須選用熔點高金屬，還需承受較大的電流強度，高純金屬釩能滿足本規定.因此，在集成電路芯片的生產過程中，應采用鎳濺射靶材、釩濺射靶材、金濺射靶材等.
鎳釩濺射靶材在制備鎳釩合金的過程中，在鎳溶體中加入釩，使制備合金更有利于磁控濺射，結合鎳濺射靶材和釩濺射靶材的優點，磁控濺射鎳層（粘結層）和釩層（阻擋層）.鎳釩合金無磁性，有利于磁控濺射.在電子和信息技術行業，純鎳濺射靶材基本取代.
鎳釩合金靶材的特點和應用
鎳釩合金靶材主要用于太陽能、電子等行業.鎳釩靶材的應用及純度如表1所示.
1)光存儲.
2)太陽膜電池.
3)觸摸顯示屏鍍晶.
4)電子器件及半導體芯片行業.
5)玻璃幕墻結構.
鎳釩合金濺射靶材的特點規定
磁控濺射鎳釩靶材要求純度高、殘渣少、成分對稱、無收縮松、無出氣孔、顆粒機構對稱、顆粒尺寸比為微米級，單獨濺射靶材要求顆粒規格盡可能少.所以在磁控濺射中不容易產生放電現象，磁控濺射塑料薄膜對稱.
2.1純凈度
濺射靶首先是高純度。由于濺射靶中的殘渣對磁控濺射塑料薄膜的性能危害很大，因此應盡量減少濺射靶中的殘渣含量。世界上許多半導體材料或電子設備制造商明確提出了高標準和嚴格要求.
2.2殘渣含量
濺射靶材中的殘渣非常嚴格，鎳釩合金濺射靶材中的殘渣非常嚴格。Cr，Al，Mg雜質含量不得超過100ppm,超出10ppm,腐蝕能下降.U，Th含量不得超過1ppb,Pb和Bi的含量低于0.1ppb,超過此含量，對電子器件正電荷造成負面影響，可能出現故障.N含量在1-100ppm中間,N含量增加，腐蝕差，必須嚴格控制雜質含量.
2.3相對密度
濺射靶材對內部結構的出氣孔有嚴格的規定。由于靶材中的出氣孔會影響磁控濺射塑料薄膜的各個方面特性，導致磁控濺射過程中充放電異常，會影響磁控濺射塑料薄膜的光學特性.因此，規定靶材相對密度高.此外，高密度、高韌性濺射靶材能承受磁控濺射過程中產生的內應力.鎳釩濺射靶材的制備方法一般分為粉未冶金法和冶煉法.未經冶金法制備的濺射靶材，出氣孔大，密度低.冶煉方法可分為一般冶煉方法和真空熔煉方法.一般冶煉法，在冶煉過程中，空氣中的氣體很容易進入溶體，導致冶煉鑄造氣體的含量不能滿足濺射靶材的要求.因此，真空熔煉法一般用于制取鎳釩濺射靶材合金，可以保證原材料內部結構無出氣孔.
2.晶粒規格、晶粒尺寸遍布全球
鎳釩靶材需經過多次熱冷生產工藝，制備較好的靶坯為多晶體結構，晶粒尺寸比例非常嚴格，晶粒應保持在100μm之內.從磁控濺射特性的角度來看，對于成分相同的磁控濺射靶材，晶粒細度比晶粒大一點的磁控濺射速度更快。同時，靶材內部結構晶粒越對稱，磁控濺射到硅晶圓中的薄膜厚度越對稱.
鎳釩合金靶材的制備
在鎳釩合金中，釩的使用量略有變化，鎳釩合金的性能合金的性能.從而使Ni-V合金不能通過后期生產加工得到濺射靶材。較典型的鎳釩合金成分是鎳釩合金。Ni-7V.制造高純度Ni-V合金的重點是：
1)必須使用優質金屬原料鎳和釩，純度必須在999.95wt超過%，鎳原料純度達到4%N5(99.995wt%)乃至5N沒問題，但釩原料的純度一般只有2N5-3N(99.5wt%-99.9wt釩的純度限制了鎳釩合金的純度.
2)釩溶點1919±2℃,屬于難熔金屬，鎳、釩溶點差別很大(約3366)℃),因此，很難選擇一般的冶煉方法來制造成分均勻的靶材.在特殊主要用途中，首先需要用真空泵熔化鎳和釩(離子束或真空泵電孤重熔)(VAR)或真空感應熔煉(VIM))通過反復真空熔煉提高合金鑄造的總純度；
3)嚴格控制殘渣元素的引進.圖1為鎳釩合金生產工藝設計工藝圖1.
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